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日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品型號: HF-300

所屬分類:

產(chǎn)品時(shí)間:2024-09-07

簡要描述:日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命
非接觸/無損壽命測量
與單晶和多晶硅樣品兼容
支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
包含激情膠囊(用于威化餅)

詳細(xì)說明:

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測量硅片磚壽命

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無損壽命測量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊(用于威化餅)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
(要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

<測量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
波長:905 nm(對于晶片)/ 1,000 nm(對于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 非接觸/無損壽命測量
  • 與單晶和多晶硅樣品兼容
  • 支持多點(diǎn)樣本測量和映射圖像顯示
  • 包含激情膠囊(用于威化餅)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片,磚(散裝)

測量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210(寬)x 210(高)x 500(深)mm

測量范圍

0.1μS至1,000μS
(要測量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm)

<測量激光單元>類型:半導(dǎo)體激光二極管,
波長:905 nm(對于晶片)/ 1,000 nm(對于磚),峰值功率:60 W,脈沖寬度:80 nS

 



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